良性腦瘤的基本病因與電離輻射、胚胎發(fā)育、遺傳等因素有關(guān)，具體分析如下：

1.電離輻射

若患者經(jīng)常處于電離輻射環(huán)境，遭受X射線(xiàn)、α射線(xiàn)、β射線(xiàn)、γ射線(xiàn)等射線(xiàn)的輻射，會(huì)使腦組織細(xì)胞異常增殖，引起良性腦瘤。

2.胚胎發(fā)育

若患者在胚胎發(fā)育時(shí)期，其腦部殘留有分化細(xì)胞，則隨著年齡不斷增長(zhǎng)，殘留細(xì)胞隨之增大，會(huì)引起良性腦瘤。

3.遺傳

若患者的父母為良性腦瘤患者，則其下一代發(fā)生良性腦瘤的概率就比正常人高。